IGBT模块
美高森美 IGBT模块Microsemi提供全系列的IGBT功率模块，具有不同的沟槽和场停止生成，可提供优化的开关和传导损耗性能。电源模块部件号清楚地标识了所采用的IGBT类型。新型沟槽5 IGBT系列是对美高精半导体IGBT功率模块产品的补充，是NPT IGBT的完美替代品。微半导体碳化硅分立器件和模块产品可被视为需要 20kHz
IGBT模块技术选择
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乙二醇双板态氮 |
模块代码 |
600V |
650V |
1200V |
开关损耗 |
传导损耗 |
硬切换 |
软开关 |
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战壕3快速 |
亚太电信协会 |
175°摄氏度 |
不适用 |
150°C |
高 |
低至 ~1.7V |
<30千赫 |
<60千赫 |
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海沟4 |
亚太电信协会 |
不适用 |
175°摄氏度 |
175°摄氏度 |
中等 |
中~1.8V |
<40千赫 |
<80千赫 |
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快壕4 |
亚太电信协会 |
不适用 |
175°摄氏度 |
175°摄氏度 |
温和 |
中 ~1，95V |
<50千赫 |
<100千赫 |
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壕沟5 |
亚太电信 |
不适用 |
175°摄氏度 |
不适用 |
低 |
低至 ~1，6V |
<100千赫 |
<200千赫 |
微半导体 IGBT 模块的优势
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特征 |
效益 |
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更高的功率密度 |
尺寸和成本降低 |
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隔离式导电基板 |
出色的热管理 |
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内部布线 |
更少的外部硬件 |
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最小寄生 |
更高的性能和效率 |
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最小输出连接 |
缩短装配时间 |
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混合和匹配组件 |
优化损失 |
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完整的工程解决方案 |
轻松升级 |
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减少零件数量 |
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上市时间短 |
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知识产权保护 |
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整个系统改进 |
尺寸更小 |
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更高的可靠性 |
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更高的效率 |
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成本更低 |
沟槽 5 IGBT 模块选型表
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拓扑结构和 连续电流 @ Tc=25ºC |
SP1 封装 |
SP3F 封装 |
SP6P 封装 |
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相位支腿 |
100安 |
Q100A65T1G |
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200A |
Q200A65T3G |
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提高 |
100安 |
Q100DA65T1G |
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200A |
Q200DA65T3G |
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麚 |
100安 |
Q100SK65T1G |
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200A |
APTGTQ200SK65T3G |
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双升压 |
100安 |
Q100DDA65T3G |
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全桥 |
100安 |
Q100H65T3G |
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三相支腿 |
50 安培 |
Q50TA65T3G |
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150安培 |
Q150TA65TPG |
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