可控硅
Q3级系列功率MOSFET为用户提供功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和高能效的器件。 Q3级系列的漏极-源极电压额定值为200V–1000V,漏极电流额定值为10A–100A,具有低通态电阻(Rdson)和栅极电荷(Qg)的组合,从而减少了 器件的导通和开关损耗。
电源开关功能和器件的耐用性通过采用我们久经考验的HiPerFETTM流程得到进一步增强,打造出一款具有快速本征整流器的器件,在提供较低反向恢复电荷(Qrr)的同时提高了器件的换向dV/dt额定值(高达50V/ns)。
艾赛斯离散式 N通道(HiPerFET)MOS管 Q3-Class 系列 - 200V - 带快速本征二极管的1100V
功能与特色:
每个硅片面积的Rdson较低
较低的Qg和Qgd
卓越的dV/dt性能
高速开关
快速本征整流器
较低的本征栅极电阻
较高的雪崩能量性能
卓越的热性能
应用:
功率因数校正
电池充电器
开关模式和谐振模式电源
服务器和通信电源系统
弧焊
等离子切割
感应加热
太阳能发电系统
电机控制
优点:
安装简便
大功率密度
节省空间
创建时间:2025-04-18 11:31
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